Micron SSD depolama yoğunluğunu ikiye katladı
Bellek üreticisi Micron, 400'den fazla katmana sahip yeni nesil G11 3D NAND teknolojisini duyurdu. Mevcut G9 nesline kıyasla veri yoğunluğunu iki katına çıkaracak yeni teknoloji, giriş/çıkış performansında yüzde 50'ye varan artış ve veri aktarımında daha düşük enerji tüketimi sunacak. Yeni belleklerin seri üretimi 2027'nin ikinci yarısında başlayacak.Micron
Bellek çipleri üreten Micron, 400'den fazla katman içeren yeni G11 3D NAND teknolojisini kamuoyuna tanıttı. Şirketin açıklamasına göre bu yeni nesil, mevcut G9 serisine oranla depolama yoğunluğunu iki katına çıkaracak. Ayrıca giriş/çıkış hızlarında yüzde 50'ye varan iyileşme sağlanırken, veri aktarım sürecinde daha az enerji harcanacak. Seri üretim takvimi 2027'nin ikinci yarısı olarak belirlendi.
Technopat'ta yayınlanan habere göre, söz konusu teknolojik gelişme SSD performansında kayda değer bir sıçramayı işaret ediyor. Micron'un bu hamlesi, gelecekteki depolama cihazlarında daha yüksek kapasite ve verimlilik hedefleniyor.
TürkAta Haber Ajansı
Fix Haber